對于重摻雜半導體和一般摻雜半導體,為何前者的遷移率隨溫度的變化趨勢不同?試加以定性分析
半導體的遷移率隨溫度的變化,主要決定于兩種因素:一是晶格振動散射,二是電離雜質(zhì)散射。
晶格振動散射將使遷移率隨著溫度的升高而下降(T的負二分之三關(guān)系);但電離雜質(zhì)散射將使遷移率隨著溫度的升高而增大(T的二分之三關(guān)系)。
對于一般摻雜的半導體,遷移率在不很高的溫度下即開始下降,這是由于晶格振動散射較早起作用的緣故;但是對于重摻雜半導體,遷移率將要到較高的溫度時,晶格振動散射才開始起作用,因此也要在較高的溫度時遷移率才開始下降,并因此重摻雜半導體遷移率的溫度穩(wěn)定性較好(但重摻雜半導體的遷移率絕對值較低)。詳見“”中的有關(guān)說明。
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